一、 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/div>
1、 學(xué)習(xí)JFET自偏電壓電路。
2、 學(xué)習(xí)JFET分壓偏置電路。
3、 估算JFET自偏壓電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，幾柵源電壓Vgs、漏極電壓Id和漏源電壓V-ds,并比較估算值與計(jì)算值。
4、 檢驗(yàn)JFET自偏壓電路的穩(wěn)定性。
5、 估算JFET分壓偏壓便置電路的靜態(tài)工作點(diǎn)Vgs、Id、和Vds 、并比較估算值與測量值。
6、 檢驗(yàn)分壓偏置電路的穩(wěn)定性。
二、 實(shí)驗(yàn)器材
JFET MPF102 1個(gè)
直流電源 1個(gè)
直流電壓表 3個(gè)
0—20mA直流毫安表 1個(gè)
電阻：100Ω、1kΩ、1.3KΩ、500KΩ、1MΩ、和3.5MΩ 各一個(gè)
三、 實(shí)驗(yàn)原理
在圖1 所示的JFET自偏壓電路中，設(shè)柵極電流為零，柵極電阻Rg兩端的電壓Vg亦為零，則柵源電壓等于源極電壓Vs的負(fù)值
Vgs=Vg-Vs=0-Vs=-Vs
圖1 JFET自偏電壓電路
其中源極電壓Vs等于漏級(jí)電流Id與源極電阻Rs的乘積
Vs=IdRs
在圖2 所示的JFET分壓偏置電路中，設(shè)柵極電流為零，則柵極電壓Vgs等于柵極電壓Vg減去源極電壓Vs
Vgs=Vg-Vs
圖1 JFET分壓偏置電路
其中源極電壓Vs 等于漏極電流Id與源極電阻Rs的乘積
Vs=IdRs
柵極電壓為分壓電阻R2與R1的分壓比乘以電源電壓Vdd
Vg=R2Vdd/(R1+R2)
四、 實(shí)驗(yàn)步驟
1、 在電子工作平臺(tái)上建立如圖所示的實(shí)驗(yàn)電路。單擊仿真開關(guān)運(yùn)行動(dòng)態(tài)分析。記錄漏極電流Id、漏極電壓Vds、源極電壓Vs和柵極電壓Vg的讀數(shù)。
2、 根據(jù)步驟1的讀數(shù)，計(jì)算柵源電壓Vgs，并確定JFET自偏壓電路的靜態(tài)工作點(diǎn)。
3、 單擊場效應(yīng)管T，下拉電路菜單Circuit，選擇模式命令Model。在彈出的模式對(duì)話框中
選中JFET MPF102，單擊編輯按扭Edit，調(diào)出MPF102的參數(shù)。將傳輸系數(shù)Transconductance
Coefficient 由0.00104改為0.0005，然后單擊接受按鈕。改變這個(gè)傳輸系數(shù)，是為了檢驗(yàn)
更換JEFT對(duì)場效應(yīng)管自偏壓電路漏極直流電路的影響，也可間接反映靜態(tài)工作電的穩(wěn)定性。
單擊仿真開關(guān)運(yùn)行動(dòng)態(tài)分析，并記錄漏極電流Id和漏源電壓Vds。
4、 確定T傳輸系數(shù)為0.0005時(shí)電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，然后再將JFET MPF102的傳輸系數(shù)改為0.00104。
5、 在EWB平臺(tái)上建立如圖4—13所示的分壓式電路。單擊仿真開關(guān)運(yùn)行動(dòng)態(tài)分析，記錄Id、Vds、Vs和Vg的讀數(shù)。
6、 根據(jù)步驟5的讀數(shù)，計(jì)算柵源電壓Vgs，確定電路的靜態(tài)工作點(diǎn)。
7、 按步驟3的方式，將場效應(yīng)管T的傳輸系數(shù)由0.00104改為0.0005。單擊仿真開關(guān)運(yùn)行動(dòng)態(tài)分析，記錄Id、和Vds，確定傳輸系數(shù)為0.0005時(shí)電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，然后再將T的傳輸系數(shù)改回0.00104。
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