米勒平臺的形成與其材料、制造工藝息息相關(guān)，當GE之間電壓大于閾值點的時候，管子的CE電壓開始下降，但是下降的速度十分緩慢，而C點的電位變化，帶動了GE之間電壓不在上升，或者這樣理解，Ige的驅(qū)動電流，基本都被用來給GC之間的節(jié)電容充電，至于為何一直充不滿，個人的理解如下。
第一種理解：C點的電位變化，起始為450V，也就是第一零點水位，當C點水位電壓下降，下降到需要補充水的時候，或者可以認為一邊下降，一邊增加抽取水（電流）的能力，也有說是此電容在變大，也可以這樣理解。
第二種理解：此階段，CE之間的電阻在變小，為何變小可以查閱模擬電路，GE電壓增大的時候，PN結(jié)的夾斷寬度變寬，同流能力增強，也就是所謂的電導調(diào)制效應(yīng)，所以MOS、IGBT才能做到功率大，損耗小。
在米勒平臺時期，電壓迅速下降，電流快速上升，當C點電位下降接近０V時，GC之間電容所抽取的能量電流減弱，Vge增大至驅(qū)動電壓。在米勒尾端到驅(qū)動電壓幅值點，Vgc實際也在減小，只是幅度非常小，同樣的Ic電流也十分微弱的增大。
驅(qū)動電壓一段時間不再上升，此時Id已經(jīng)達到最大，而Vds還在繼續(xù)下降，直到米勒電容充滿電，Vgs又上升到驅(qū)動電壓的值，此時MOSFET進入電阻區(qū)，此時Vds徹底降米勒效應(yīng)的影響：MOSFET的柵極驅(qū)動過程，可以簡單的理解為驅(qū)動源對MOSFET的輸入電容（主要是柵源極電容Cgs）的充放電過程；
當Cgs達到門檻電壓之后， MOSFET就會進入開通狀態(tài)；當MOSFET開通后，Vds開始下降，Id開始上升，此時MOSFET進入飽和區(qū)；但由于米勒效應(yīng)，Vgs會持續(xù)下來，開通結(jié)束。
由于米勒電容阻止了Vgs的上升，從而也就阻止了Vds的下降，這樣就會使損耗的時間加長。（Vgs上升，則導通電阻下降，從而Vds下降）
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