兩個(gè)PMOS并聯(lián)
電路描述： Q3是三極管，Q1和Q2是PMOS管，左右兩邊的+12V是輸入，VIN是輸出，用來(lái)給模塊供電，PHONE_POWER是控制信號(hào)。
電路邏輯： PHONE_POWER 輸出高電平時(shí)，Q3導(dǎo)通，Q1和Q2導(dǎo)通，VIN=+12V； PHONE_POWER輸出低電平時(shí)，Q3截止，Q和Q2截止，VIN=0V；
所以看起來(lái)這個(gè)電路很簡(jiǎn)單， 問(wèn)：為什么用兩個(gè)PMOS，Q1和Q2，用一個(gè)PMOS是不是也可以？
了解的話(huà)一看就知道了，Q1和Q2導(dǎo)通時(shí)，左右兩邊12V并聯(lián)增加電流，為的是提高VIN的帶載能力，或者換個(gè)說(shuō)法是：VIN負(fù)載電流比較大，用兩個(gè)PMOS管分流。
舉個(gè)例子： 如果VIN負(fù)載最大電流為1A，用一個(gè)PMOS管，電流都會(huì)加在這個(gè)MOS管的DS上，選型時(shí)PMOS的IDS電流至少得1A以上； 如果用兩個(gè)PMOS，每個(gè)PMOS管的IDS電流是不是在0.5A以上即可。
所以這么設(shè)計(jì)的目的是為了節(jié)省成本 ，可能1個(gè)IDS=1A電流的管子比兩個(gè)IDS=0.5A的管子貴。
問(wèn)題來(lái)了，流過(guò)Q1和Q2的電流都是0.5A嗎？
如果流過(guò)Q1的電流是0.6A，流過(guò)Q2的電流是0.4A，那Q1過(guò)流發(fā)熱不就燒壞了？可能有人說(shuō)了Q1燒壞了，還有Q2，難道Q2不會(huì)再燒壞嗎？答案是Q2肯定會(huì)壞。
那有人說(shuō)了，Q1和Q2用同樣型號(hào)的PMOS管不就行了，這樣兩個(gè)管子的Rdson（導(dǎo)通內(nèi)阻）一樣，流過(guò)的電流肯定也一樣。
但是實(shí)際上，因?yàn)橹圃旃に嚨挠绊懀恍吞?hào)同一批次的兩個(gè)管子，Rdson和其他參數(shù)不可能做到完全一樣。
看到這里大家可能覺(jué)得很有道理，就算用一樣的型號(hào)，流過(guò)兩個(gè)MOS管的電流也不一樣，那是不是這個(gè)電路就無(wú)法使用了？
上述電路可以使用，使用時(shí)需要注意的點(diǎn)：
第1：Q1和Q2最好用同一型號(hào)，且IDS需要留有一定的余量，負(fù)載電流如果最大1A，兩個(gè)PMOS的IDS可以選擇0.6~0.7A左右，這樣就有200mA~400mA的余量。
第2：這一點(diǎn)非常重要，這個(gè)電路可以實(shí)現(xiàn)「均流」，什么叫均流，也就是流過(guò)Q1和Q2的電流肯定是一樣的。
流過(guò)Q1和Q2的電流大小取決于Rdson參數(shù)。
第1點(diǎn)已經(jīng)說(shuō)了，Q1和Q2使用同一型號(hào)的管子，可能因?yàn)橹圃旃に囉绊懀僭O(shè)Q1的Rdson比Q2的Rdson小，那么流過(guò)Q1的電流會(huì)比流過(guò)Q2的電流大。
但是有一點(diǎn)需要注意 ，MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻和溫度是呈正系數(shù)關(guān)系，也就是說(shuō)隨著溫度的升高，內(nèi)阻會(huì)變大，因?yàn)榱鬟^(guò)Q1的電流比Q2大，所以Q1的溫升肯定比Q2高，這時(shí)候Q1的內(nèi)阻會(huì)變大，內(nèi)阻變大帶來(lái)的效果是流過(guò)Q1的電流又會(huì)變小，這不是個(gè)完整的負(fù)反饋嗎，完美的實(shí)現(xiàn)了均流。
兩個(gè)PMOS串聯(lián)
如果說(shuō)上面的是兩個(gè)MOS管并聯(lián)，下面這個(gè)圖是兩個(gè)MOS管串聯(lián)，VIN是輸入，VOUT是輸出。
電路邏輯： PHONE_POWER輸出高電平時(shí)，Q3導(dǎo)通，Q1和Q2導(dǎo)通，VIN=VOUT； PHONE_POWER輸出低電平時(shí)，Q3截止，Q和Q2截止，VIN=0V；
電路作用： 針對(duì)上面后一點(diǎn)，在兩個(gè)MOS管關(guān)閉的情況下，如果調(diào)試需要外接VOUT， 可以防止VOUT的電串到VIN上面 ，利用的是Q1體二極管反向截止特性（左正右負(fù)）。
如果沒(méi)有Q1，那么VOUT直接從Q2的體二極管（左負(fù)右正）串電到VIN上面。
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