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      6. 主板cmos電路解析-CMOS電路分析ESD保護結構的設計
        • 發(fā)布時間:2020-06-06 15:46:32
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        主板cmos電路解析-CMOS電路分析ESD保護結構的設計
        cmos電路簡介
        CMOS電路是互補型金屬氧化物半導體電路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)的英文字頭縮寫,它由絕緣場效應晶體管組成,由于只有一種載流子,因而是一種單極型晶體管集成電路,其基本結構是一個N溝道MOS管和一個P溝道MOS管,如下圖所示。
        cmos電路分析
        CMOS電路基本結構示意圖
        cmos電路工作原理
        cmos電路分析工作原理如下:
        由于兩管柵極工作電壓極性相反,故將兩管柵極相連作為輸入端,兩個漏極相連作為輸出端,如圖1(a)所示,則兩管正好互為負載,處于互補工作狀態(tài)。
        當輸入低電平(Vi=Vss)時,PMOS管導通,NMOS管截止,輸出高電平,如圖1(b)所示。
        當輸入高電平(Vi=VDD)時,PMOS管截止,NMOS管導通,輸出為低電平,如圖1(c)所示。
        兩管如單刀雙擲開關一樣交替工作,構成反相器。
        cmos電路分析
        主板CMOS電路分析
        一、主板CMOS電路分析-主板CMOS電路組成
        1. CMOS電路由于要保存CMOS存儲器中的信息,在主板斷電后,由一塊紐扣電池供電使CMOS電路正常工作,保證CMOS存儲器中的信息不丟失。CMOS電路在得到不間斷的供電和外圍專用晶振提供的時鐘信號后,將一直處于工作狀態(tài),可隨時參與喚醒任務(即開機)。
        2. CMOS電路主要由CMOS隨機存儲器.實時時鐘電路(包括振蕩器.晶振、諧振電容 等)、跳線、南橋芯片、電池及供電電路等幾部分組成。
        cmos電路分析
        二、主板CMOS電路分析-CMOS隨機存儲器
        CMOS隨機存儲器的作用是存儲系統(tǒng)日期、時間、主板上存儲器的容量、硬盤的類型和數(shù)目、顯卡的類型,當前系統(tǒng)的硬件配置和用戶設置的某些參數(shù)等重要信息,開機時由BIOS對系統(tǒng)自檢初始化后,將系統(tǒng)自檢到的配置與CMOS隨機存儲器中的參數(shù)進行比較,正確無誤后才啟動系統(tǒng)。
        三、主板CMOS電路分析-實時時鐘電路
        1.實時時鐘電路的作用是產(chǎn)生32. 768kHz的正弦波形時鐘信號,負責向CMOS電路和開機電路提供所需的時鐘信號(CLK)。實時時鐘電路主要包括振蕩器(集成在南橋中)、32.768kHz的晶振、諧振電容等元器件。
        CMOS電路分析ESD保護結構的設計
        大部分的ESD電流來自電路外部,因此ESD保護電路一般設計在PAD旁,I/O電路內(nèi)部。典型的I/O電路由輸出驅(qū)動和輸入接收器兩部分組成。ESD 通過PAD導入芯片內(nèi)部,因此I/O里所有與PAD直接相連的器件都需要建立與之平行的ESD低阻旁路,將ESD電流引入電壓線,再由電壓線分布到芯片各個管腳,降低ESD的影響。具體到I/O電路,就是與PAD相連的輸出驅(qū)動和輸入接收器,必須保證在ESD發(fā)生時,形成與保護電路并行的低阻通路,旁路 ESD電流,且能立即有效地箝位保護電路電壓。而在這兩部分正常工作時,不影響電路的正常工作。
        常用的ESD保護器件有電阻、二極管、雙極性晶體管、MOS管、可控硅等。由于MOS管與CMOS工藝兼容性好,因此常采用MOS管構造保護電路。
        CMOS工藝條件下的NMOS管有一個橫向寄生n-p-n(源極-p型襯底-漏極)晶體管,這個寄生的晶體管開啟時能吸收大量的電流。利用這一現(xiàn)象可在較小面積內(nèi)設計出較高ESD耐壓值的保護電路,其中最典型的器件結構就是柵極接地NMOS(GGNMOS,GateGroundedNMOS)。
        在正常工作情況下,NMOS橫向晶體管不會導通。當ESD發(fā)生時,漏極和襯底的耗盡區(qū)將發(fā)生雪崩,并伴隨著電子空穴對的產(chǎn)生。一部分產(chǎn)生的空穴被源極吸收,其余的流過襯底。由于襯底電阻Rsub的存在,使襯底電壓提高。當襯底和源之間的PN結正偏時,電子就從源發(fā)射進入襯底。這些電子在源漏之間電場的作用下,被加速,產(chǎn)生電子、空穴的碰撞電離,從而形成更多的電子空穴對,使流過n-p-n晶體管的電流不斷增加,最終使NMOS晶體管發(fā)生二次擊穿,此時的擊穿不再可逆,則NMOS管損壞。
        為了進一步降低輸出驅(qū)動上NMOS在ESD時兩端的電壓,可在ESD保護器件與GGNMOS之間加一個電阻。這個電阻不能影響工作信號,因此不能太大。畫版圖時通常采用多晶硅(poly)電阻。
        只采用一級ESD保護,在大ESD電流時,電路內(nèi)部的管子還是有可能被擊穿。GGNMOS導通,由于ESD電流很大,襯底和金屬連線上的電阻都不能忽略,此時GGNMOS并不能箝位住輸入接收端柵電壓,因為讓輸入接收端柵氧化硅層的電壓達到擊穿電壓的是GGNMOS與輸入接收端襯底間的IR壓降。為避免這種情況,可在輸入接收端附近加一個小尺寸GGNMOS進行二級ESD保護,用它來箝位輸入接收端柵電壓,如下圖所示。
        cmos電路分析
        常見ESD的保護結構和等效電路
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