與BJT-雙極結(jié)型晶體管不同，F(xiàn)ET-場(chǎng)效應(yīng)晶體管不會(huì)發(fā)生熱失控，正如我們已經(jīng)討論過(guò)的那樣。然而，最大和最小傳輸特性的巨大差異使得ID電平不可預(yù)測(cè)，具有簡(jiǎn)單的固定柵極偏置電壓。為了獲得靜態(tài)漏極電流ID和漏極 - 源極電壓VDS的合理限制，必須使用源電阻器和分壓器偏置技術(shù)。除了少數(shù)例外，MOSFET偏置電路與用于JFET的電路類(lèi)似。下面討論各種FET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）偏置電路：
固定偏置
固定偏置場(chǎng)效應(yīng)晶體管
FET-場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的直流偏置需要設(shè)置柵源電壓VGS來(lái)獲得所需的漏電流ID。對(duì)于JFET，漏極電流受飽和電流IDS的限制。由于FET-場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有如此高的輸入阻抗，因此沒(méi)有柵極電流流動(dòng)，并且由分壓器或固定電池電壓設(shè)置的柵極的直流電壓不會(huì)受到FET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的影響或負(fù)載。
固定直流偏壓是使用電池VQG獲得。該電池確保柵極相對(duì)于源極總是負(fù)的，并且沒(méi)有電流流過(guò)電阻器RG和柵極端子，即IG = 0。電池提供一個(gè)電壓VGS以偏置N溝道JFET，但沒(méi)有從電池VGG汲取電流。包括電阻器RG以允許通過(guò)電容器C施加的任何交流信號(hào)在RG上產(chǎn)生。雖然任何交流信號(hào)將發(fā)展跨越RG，直流電壓下降通RG等于IG RG即0伏。
柵極-源極電壓VGS則為
VGS = – vG – vs = – vGG – 0 = – VGG
然后，漏極 - 源極電流ID由柵極 - 源極電壓固定，如通過(guò)等式確定的。
該電流然后使得跨越該漏極電阻器R的電壓降d和給出 VRD = ID RD 和輸出電壓，Vout = VDD – ID RD
自偏置電路
FET-場(chǎng)效應(yīng)晶體管自偏置電路
這是偏置JFET的最常用方法，用于N溝道JFET的自偏置電路如圖所示。
由于沒(méi)有柵極電流流過(guò)反向偏置柵極 - 源極，因此柵極電流IG = 0，因此vG = iG RG = 0
利用漏極電流ID，S處的電壓為 Vs= ID Rs
然后是柵極 - 源極電壓
VGs = VG – Vs = 0 – ID Rs = – ID Rs
因此，電阻Rs上的電壓降提供了偏置電壓VGg，并且不需要外部源來(lái)進(jìn)行偏置，這就是它被稱(chēng)為自偏置的原因。
工作點(diǎn)（即零信號(hào)ID和VDS）可以 通過(guò)以下公式和公式輕松確定：
VDS = VDD – ID (RD + RS)
因此，JFET放大器的直流條件已完全確定.JFET的自偏置使其靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定，以防止其跨參數(shù)等參數(shù)發(fā)生任何變化。讓給定的JFET被另一個(gè)具有雙重電導(dǎo)的JFET代替，那么漏極電流也將試圖加倍，但由于RS上的電壓降任何增加，因此柵極 - 源極電壓VGS變得更負(fù)，因此漏極增加電流減少了。
電位分壓器偏置
FET-場(chǎng)效應(yīng)晶體管電位分壓器偏置
圖中所示的電路提供了略微修改的直流偏置形式。電阻器RGl 和 RG2 在漏極電源VDD 上形成分壓器。RG2 上的電壓V2 提供必要的偏置。從柵極到電源電壓的附加?xùn)艠O電阻RGl 有利于更大的直流偏置點(diǎn)的調(diào)整，并允許使用更大的RS值。
柵極反向偏置，使得IG = 0 并且柵極電壓
VG =V2 = (VDD/R G1 + R G2 ) *RG2
和
VGS = vG – vs = VG – ID Rs
該電路設(shè)計(jì)為ID Rs 大于VG ，因此 VGS 為負(fù)。這提供了正確的偏置電壓。
操作點(diǎn)可以確定為
ID = (V2 – VGS)/ RS
和
VDS = VDD - ID (RD + RS)
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